- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H01L 27/11582
Brevets de cette classe: 6037
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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---|---|---|
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1158 |
Kioxia Corporation | 9847 |
1000 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
872 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
817 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
582 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
576 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
174 |
Applied Materials, Inc. | 16587 |
87 |
Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
78 |
Sunrise Memory Corporation | 192 |
66 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
57 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
54 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
38 |
Intel NDTM US LLC | 373 |
33 |
Toshiba Memory Corporation | 255 |
28 |
Lam Research Corporation | 4775 |
27 |
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
24 |
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
20 |
Intel Corporation | 45621 |
19 |
ASM IP Holding B.V. | 1715 |
19 |
Autres propriétaires | 308 |